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GT10Q101中文资料

GT10Q101图片

GT10Q101外观图

  • 大小：297.48KB
  • 厂家：TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]
  • 描述：High Power Switching Applications
  • 晶体管类型:：绝缘栅双极型晶体管（IGBT）
  • 集电极直流电流:：10A
  • 饱和电压, Vce sat 最大:：2.7V
  • 功耗, Pd:：140W
  • 电压, Vceo:：1.2kV
  • 封装类型:：TO-3P
  • 针脚数:：3
  • 上升时间:：70ns
  • 功率, Pd:：140W
  • 功耗:：140W
  • 封装类型:：TO-3P (N)
  • 晶体管极性:：?频道
  • 最大功耗:：140W
  • 最大连续电流, Ic:：10A
  • 电压, Vces:：1.2kV
  • 电流, Icm 脉冲:：20A
  • 表面安装器件:：通孔安装
  • 针脚格式:：GCE

GT10Q101供应商

更新时间:2023-01-17 22:55:29
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